徐千禾 / 業務經理
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SiP4282ADVP-3-E3

SiP4282ADVP-3使用在VIA ULV平臺，它是一個高端負載開關內含斜率控制可防止在高電容性負載條件下產生突波電流，并且可使開關雜訊減到最小。 Vishay設計與製造一系列的整合型裝載開關產品， 與分立元件比較下，他們提供價錢競爭方案和額外增值特點包括斜率控制、關閉時放電、電流限制、短路保護、反向電流阻隔和緊湊包裝大小。 新產品更具有在低於1.2V邏輯門閘和保證在1.2V下低導通阻抗的特色。 這些對您的設計更容易并且提高系統保護。

Si4168DY-T1-GE3

SiP4168DY使用在VIA ULV平臺，它是一個SO8包裝並且使用Vishay最新的MOSFET製程 - Gen III。 這個元件規格是30Vds/20Vgs/5.7m ohm@10Vgs/7.6mohm @4.5Vgs。 Vishay的Gen III元件能減少導通阻抗在每個Silicon區域下超過35%，也同樣能減少Gate Charge在每個區域約10%。 減少的導通阻抗與Gate Charge能讓傳導和開關損失減少，且減少能源消耗和延長電池壽命。

SiS412DN-T1-GE3

SiS412DN使用在VIA ULV平臺，它是一個PPAK-1212包裝並且使用Vishay最新的MOSFET製程 - Gen III。 這個元件規格是30Vds/20Vgs/24m ohm@10Vgs/30mohm @4.5Vgs。 這個PPAK-1212包裝能比SO8包裝減少70%大小和低92% 的熱阻係數。 Vishay的Gen III元件能減少導通阻抗在每個Silicon區域下超過35%，也同樣能減少Gate Charge在每個區域約10%。 減少的導通阻抗與Gate Charge能讓傳導和開關損失減少，且減少能源消耗和延長電池壽命。

檔案下載

Vishay_SiP4282ADVP-3_20090609.pdf
Vishay_Si4168DY_20090609.pdf
Vishay_SiS412DN_20090609.pdf

Vishay Intertechnology, Inc.為Fortune 1,000 大公司，並上市於紐約證券交易所(代號:VSH)。其為全球最大的分離式半導體 (二極體、整流器、電晶體、 光電及選擇性IC) 、以及被動電子零組件(電阻器、電容器、電感器、感測器及轉換器等)製造商之一。這些元件已被運用於所有類型的電子元件及設備中，包括工業、運算、汽車、消費性、電訊、軍事、航太及醫藥市場。其產品創新性、成功的收購策略、以及提供一次購足服務的能力，已使 Vishay 成為全球業界領導者。